| 发明名称 | 薄膜晶体管基板 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于，在薄膜晶体管基板中获得漏极电极与像素电极间的良好的接触。漏极电极(25d)具有由第一导电膜(25dp)和设置在第一导电膜(25dp)的上层且包含铝的第二导电膜(25dq)层叠而成的结构，第二导电膜(25dq)与第一接触孔(27a)分离，由此在两者之间形成与第一接触孔(27a)连通的空隙部(28a)，像素电极(29)被设置成与漏极电极(25d)中的第二导电膜(25dq)不接触。 | ||
| 申请公布号 | CN103053027A | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201180037969.0 | 申请日期 | 2011.05.26 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 美崎克纪 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：基板；薄膜晶体管，其具有设置在所述基板上的栅极电极、以覆盖该栅极电极的方式设置的栅极绝缘膜、设置在该栅极绝缘膜的上层且在与所述栅极电极相对的位置具有沟道部的氧化物半导体膜、以及在该氧化物半导体膜上隔着所述沟道部彼此分离设置的源极电极和漏极电极；层间绝缘膜，其以覆盖所述薄膜晶体管的方式设置在所述栅极绝缘膜的上层，且具有到达所述漏极电极的第一接触孔；和像素电极，其设置在所述层间绝缘膜上，通过所述第一接触孔与所述漏极电极电连接，其中，所述漏极电极具有由第一导电膜和设置在该第一导电膜的上层且包括铝的第二导电膜层叠而成的结构，所述第二导电膜与所述第一接触孔分离，由此在两者之间形成有与该第一接触孔连通的空隙部，所述像素电极被设置成与所述漏极电极中的所述第二导电膜不接触。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||