| 发明名称 | 紫外线照射装置 | ||
| 摘要 | 提供一种能够以小型、高效率发射紫外线的紫外线照射装置。该紫外线照射装置具备在以负压状态密封内部的、具有紫外线透过窗的容器内，具备半导体多层膜元件以及向该半导体多层膜照射电子束的电子束辐射源。另外，半导体多层膜元件具备由InxAlyGal-x-yN（0≤x＜1，0＜y≤1，x+y≤1）组成的单一量子阱结构或者多量子阱结构的活性层，通过来自上述电子束辐射源的电子束照射在上述半导体多层膜元件上的活性层上，紫外线从该半导体多层膜元件经由上述紫外线透过窗向外部辐射。另外，在假设电子束的加速电压为V（kV），上述活性层的厚度为t（nm）时，满足下式（1）。式（1）：4.18×V1.50≤t≤10.6×V1.54。 | ||
| 申请公布号 | CN103053007A | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201180027275.9 | 申请日期 | 2011.05.30 |
| 申请人 | 国立大学法人京都大学;优志旺电机株式会社 | 发明人 | 川上养一;船户充;大音隆男;R·G·伯纳尔;山口真典;片冈研;羽田博成 |
| 分类号 | H01J63/06(2006.01)I;B82Y20/00(2006.01)I;H01L33/06(2006.01)I | 主分类号 | H01J63/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 许海兰 |
| 主权项 | 一种紫外线照射装置，其特征在于：在以负压状态密封内部的、具有紫外线透过窗的容器内，具备半导体多层膜元件以及向该半导体多层膜元件照射电子束的电子束辐射源。 | ||
| 地址 | 日本京都 | ||