一种具有图形衬底的发光二极管

摘要

本发明提供了一种新的具有图形衬底的发光二极管结构，其衬底以中心为圆心分成5-8个同心环状区域，同一环状区域内的图形的尺寸和图形之间的距离相同，不同环状区域内的图形的尺寸和图形之间的距离由内向外依次递增。本发明能够降低外延生长过程中的残余应力，减小晶体缺陷，提高内量子效率，从而有利于改善芯片的波长均匀性，改善芯片的漏电，提高芯片的亮度。该技术在采用大尺寸的生长衬底时效果更加明显，有利于减小其翘曲度。

主权项

一种具有图形衬底的发光二极管,其结构包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，其特征在于，所述衬底以中心为圆心分成n个同心环状区域， 5≤n≤8，所述环状区域内带有图形；同一环状区域内的图形尺寸相同，图形的垂直深度为0.5‑3微米，图形的截面为圆形、椭圆形、矩形或等腰三角形，图形截面的横向尺寸为1‑10微米，纵向尺寸为1‑10微米；所述横向尺寸由内部环状区域向外部环状区域递增，递增幅度为0.1‑2微米。