| 发明名称 | 一种LED芯片 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种LED芯片，其包括自上而下依次设置的增透膜层、上发光层、衬底层、下发光层以及反射膜层。本实用新型的LED芯片通过设置反射膜层，从而能将衬底层背面发出的光得到充分利用，提高光照效率；同时，通过设置增透膜层，从而能够提高该芯片的透光率，提升亮度。 | ||
| 申请公布号 | CN202888223U | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201220508806.8 | 申请日期 | 2012.10.06 |
| 申请人 | 湖南珂辉光电节能科技有限公司 | 发明人 | 沈静辉 |
| 分类号 | H01L33/44(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/44(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种LED芯片，其特征在于：包括自上而下依次设置的增透膜层、上发光层、衬底层、下发光层以及反射膜层。 | ||
| 地址 | 411104 湖南省湘潭市高新区火炬创新创业园905室 | ||