CMOS晶体管应力记忆处理方法和CMOS晶体管

摘要

本发明公开了一种CMOS晶体管的应力记忆处理方法和CMOS晶体管，其中，所述方法包括：提供一个形成有CMOS晶体管的衬底，衬底的下表面具有与所述CMOS晶体管的栅极侧壁内层对应的氧化硅层和与栅极侧壁外层对应的氮化硅层；在CMOS晶体管的上表面依次淀积缓冲氧化层和应力氮化硅层；若CMOS晶体管包括NMOS晶体管和PMOS晶体管，则去除PMOS晶体管上表面的应力氮化硅层，对衬底进行退火；若CMOS晶体管包括NMOS晶体管，则直接对衬底进行退火；去除NMOS晶体管上表面的应力氮化硅层并去除缓冲氧化层，衬底的下表面保留有与栅极侧壁对应的氧化硅层和氮化硅层。本发明可以降低PID出现概率，简单并且节约成本。

主权项

一种CMOS晶体管的应力记忆处理方法，其特征在于，包括：提供一个形成有CMOS晶体管的衬底，所述衬底的下表面具有与所述CMOS晶体管的栅极侧壁内层对应的氧化硅层和位于所述氧化硅层下表面并与所述栅极侧壁外层对应的氮化硅层；在所述CMOS晶体管的上表面依次淀积缓冲氧化层和应力氮化硅层；所述CMOS晶体管包括NMOS晶体管和PMOS晶体管，则去除所述PMOS晶体管上表面的应力氮化硅层；对所述衬底进行退火，使NMOS晶体管表面应力氮化硅层的张应力记忆到NMOS晶体管的导电沟道中；去除所述NMOS晶体管上表面的应力氮化硅层并去除所述缓冲氧化层，所述衬底的下表面保留有与所述栅极侧壁对应的氧化硅层和氮化硅层。