电感式金属接近检测探头

摘要

本发明属于电子技术领域，涉及一种电感式金属接近检测探头，主要用于各种区域内的金属物体检测，可作为控制电路的前级。电感式金属接近检测探头，由高频振荡电路(检测探头)、倍压整流电路、直流放大倒相电路、直流放大电路及光电转化器件、供电电源、电源滤波电路、电源指示电路组成，其特征是高频振荡变压器作为检测探头、倍压整流电路采用锗二极管2AP9、光电转化器件采用三级管型光电耦合器。检测探头与金属物体之间最大探测距离不小于48mm。

主权项

电感式金属接近检测探头，它由供电电源、电源滤波电路、高频振荡电路、倍压整流电路、直流放大倒相电路、直流放大及光电转化器件、电源指示电路组成，其特征包括：高频振荡电路由高频振荡变压器B、振荡电容C3、硅晶体管BG1、微调电位器W1、偏置电阻R1和旁路电容C1、电阻R2和负反馈电容C2组成，高频振荡变压器B第III绕组的下端接硅晶体管BG1集电极和振荡电容C3下端，高频振荡变压器第III绕组上端接振荡电容C3上端和供电电源正极VCC，硅晶体管BG1基极接高频振荡变压器第II绕组的一端，高频振荡变压器第II绕组的另一端接微调电位器W1下端、偏置电阻R1的上端和旁路电容C1的上端，微调电位器W1上端接供电电源正极VCC，偏置电阻R1和旁路电容C1的下端接电路地GND，高频振荡变压器B第I绕组的一端接电路地GND，高频振荡变压器B第I绕组的另一端接倍压整流电路；倍压整流电路由两只肖特基二极管D1～D2和滤波电容C4组成，肖特基二极管D1的负极与肖特基二极管D2的正极相连后接高频振荡变压器B第I绕组次级线圈上端，肖特基二极管D1的正极接电路地GND，肖特基二极管D2的负极接滤波电容C4的正极，滤波电容C4的负极接电路地GND；直流放大倒相电路由硅晶体管BG2、匹配电阻R4、负载电阻R5组成，硅晶体管BG2基极接匹配电阻R4的上端，匹配电阻R4的下端和硅晶体管BG2发射极接电路地GND，硅晶体管BG2集电极经负载电阻R5接供电电源正极VCC；直流放大及光电转化器件由硅晶体管BG3、微调电位器W2、负载电阻R6和光电耦合器G1组成，硅晶体管BG3基极与微调电位器W2的上端、硅晶体管BG2集电极相连，硅晶体管BG3发射极与微调电位器W2的活动臂及电位器W2的下端接电路地GND，硅晶体管BG3集电极接光电耦合器G1的第2脚，光电耦合器G1的第1脚通过负载电阻R6接供电电源正极VCC，光电耦合器G1的第4脚与第5脚为输出端。