光电装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种光电装置及其制造方法，该光电装置包括一基板以及具有露出该基板的一部分的两个或两个以上的开口的一介电材料，所述两个或两个以上的开口分别具有至少为1的一深宽比。包括晶格不相称于该基板的一化合物半导体材料的一底部二极管材料占据了所述两个或两个以上的开口并于所述两个或两个以上的开口之上接合以形成一底部二极管区域。上述装置更包括一顶部二极管材料以及位于该顶部二极管材料与该底部二极管材料之间的一有源二极管区。本发明借由于高品质、大区域、低成本的硅晶片上制作太阳能电池、发光二极管、共振穿隧二极管、半导体激光与其他化合物半导体装置，借以降低成本。

主权项

一种光电装置，包括：一基板；一介电材料，包括露出该基板的一部分的两个或两个以上的开口，所述两个或两个以上的开口分别具有至少为1的一深宽比；一底部二极管材料，包括晶格不相称于该基板的一化合物半导体材料，且其中该化合物半导体材料占据了所述两个或两个以上的开口并于所述两个或两个以上的开口之上接合以形成一底二极管区；一顶部二极管材料；以及一有源二极管区，位于该顶部二极管材料与该底部二极管材料之间。