结合碳热还原制备重结晶碳化硅多孔陶瓷的方法

摘要

本发明公开了一种结合碳热还原制备重结晶碳化硅多孔陶瓷的方法，按重量百分比，按重量百分数：碳化硅粉40～70％、氧化硅粉15～34％、纳米炭黑3～14％、酚醛树脂8～12％分别进行称量，用酒精作为溶剂湿混制备成混合粉末；然后模压成形，将上述成形体放入烧结炉中，先在真空下加热到1400～1500℃碳热还原2～2.5小时，然后在氩气气氛下快速升温至1800～2000℃再结晶处理1～3小时，即可获得烧结体。本发明的碳化硅多孔陶瓷可广泛应用于柴油车尾气颗粒捕集器或催化剂载体等领域。

主权项

一种结合碳热还原制备重结晶碳化硅多孔陶瓷的方法，其特征在于，包括下述步骤：（1）按重量百分数：碳化硅粉40～70%、氧化硅粉15～34%、纳米炭黑3～14%、酚醛树脂8～12%分别进行称量，用酒精作为溶剂湿混制备成混合粉末；其中，氧化硅粉的粒径5～10μm，SiO2含量＞99%；（2）将混合粉末干燥后过筛造粒；（3）根据所需制品形状选择模具，将造粒料装入模具型腔内，模压成型，成型压力为60～200MPa；（4）将成形好的试样置于感应烧结炉中，先在真空下以升温速度50～60℃/min加热到1400～1500℃碳热还原2～2.5小时，然后在0.5～1个大气压的氩气气氛下以升温速度为70～90℃/min加热至1800～2000℃再结晶处理1～3小时，获得烧结体。