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<p>본 발명은 p측 질화물 반도체층 상에 투광성 전극을 갖는 질화물 반도체 발광 소자에서, p측 질화물 반도체층과 투광성 전극과의 사이의 양호한 오믹 콘택트를 얻을 수 있고, 웨이퍼 내에서의 순방향 전압(Vf)의 변동이 작은 신규한 전극을 구비한 질화물 반도체 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 질화물 반도체 발광 소자는, n측 질화물 반도체층과 p측 질화물 반도체층과, 상기 p측 질화물 반도체층에 접한 투광성 전극을 갖는 질화물 반도체 발광 소자이며, 상기 투광성 전극이, Ge와 Si를 포함하는 산화인듐으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.</p> |
