半导体装置之制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置之制造方法，包含提供具有第一及第二主动区域之半导体基材，在半导体基材上形成高介电常数介电层，在高介电常数介电层上形成具有第一功函数之第一金属层，移除在第二主动区域中之部分的第一金属层，在第一主动区域之第一金属层及第二主动区域之经部分移除的第一金属层上形成一半导体层，在第一主动区域中形成第一闸极堆叠及在第二主动区域中形成第二闸极堆叠，自第一及第二闸极堆叠中移除半导体层，在第一闸极堆叠之第一金属层及第二闸极堆叠之经部分移除的第一金属层上形成具有第二功函数之第二金属层。