发明名称 发光二极体组件之制造方法
摘要 一种发光二极体(Light Emitting Diode;LED)组件之制造方法,系先在一基材层上被覆一反射层,在该反射层上被覆一发光层,并自发光层穿过反射层而朝向基材层延伸出一P型电极与一N型电极,藉以形成一LED晶片结构;然后,利用一透光封装材料包覆LED晶片结构,使P型电极与N型电极外露于透光封装材料,藉以形成LED晶片封装体;最后,将LED晶片封装体该P型电极与该N型电极电性连结于一电路基板,藉以制作出LED组件。
申请公布号 TWI393273 申请公布日期 2013.04.11
申请号 TW098128761 申请日期 2009.08.27
申请人 艾笛森光电股份有限公司 新北市中和区中正路800号5楼 发明人 吴建荣;孙宗鼎
分类号 H01L33/46;H01L33/54;H01L33/62 主分类号 H01L33/46
代理机构 代理人 李长铭 新北市新店区北新路3段217号3楼
主权项
地址 新北市中和区中正路800号5楼