发明名称 |
发光二极体组件之制造方法 |
摘要 |
一种发光二极体(Light Emitting Diode;LED)组件之制造方法,系先在一基材层上被覆一反射层,在该反射层上被覆一发光层,并自发光层穿过反射层而朝向基材层延伸出一P型电极与一N型电极,藉以形成一LED晶片结构;然后,利用一透光封装材料包覆LED晶片结构,使P型电极与N型电极外露于透光封装材料,藉以形成LED晶片封装体;最后,将LED晶片封装体该P型电极与该N型电极电性连结于一电路基板,藉以制作出LED组件。 |
申请公布号 |
TWI393273 |
申请公布日期 |
2013.04.11 |
申请号 |
TW098128761 |
申请日期 |
2009.08.27 |
申请人 |
艾笛森光电股份有限公司 新北市中和区中正路800号5楼 |
发明人 |
吴建荣;孙宗鼎 |
分类号 |
H01L33/46;H01L33/54;H01L33/62 |
主分类号 |
H01L33/46 |
代理机构 |
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代理人 |
李长铭 新北市新店区北新路3段217号3楼 |
主权项 |
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地址 |
新北市中和区中正路800号5楼 |