发明名称 薄膜太阳能电池画线缺陷检测方法
摘要 本发明提供一种薄膜太阳能电池画线缺陷检测方法,包括以下步骤:提供一薄膜太阳能电池,其制作方式包括以第一道制程对一透明导电层画线,以第二道制程对一光吸收层画线,以第三道制程对一导电层与光吸收层画线;施加一电流于该薄膜太阳能电池中,使该薄膜太阳能电池发光;以及以一影像撷取模组撷取该薄膜太阳能电池发光之影像,其中影像中不发光之直线为画线处,藉由该画线处左右呈现亮暗图形决定画线缺陷之位置。
申请公布号 TWI393202 申请公布日期 2013.04.11
申请号 TW098141853 申请日期 2009.12.08
申请人 财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 发明人 林昆蔚;江易轩;陈俊廷
分类号 H01L21/66;H01L31/18 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号