| 摘要 |
本发明揭示一种电晶体型防护装置，其包括：一半导体基板；一井，其包括一形成于该半导体基板中之第一导电类型半导体；一源极区域，其包括一形成于该井中之第二导电类型半导体；一闸极电极，其经由在该源极区域之一侧处的一闸极绝缘膜形成于该井上方；一汲极区域，其包括在该闸极电极之一侧处隔开而形成于该井内之该第二导电类型半导体；及一电阻性击穿区域，其包括与该汲极区域接触，与紧接在该闸极电极下之该井部分隔开一预定距离之一第二导电类型半导体区域，其中该电阻性击穿区域之一冶金接面形式及一杂质浓度分布概况经判定使得当接面击穿发生于该汲极区域或该电阻性击穿区域中时在一汲极偏压之施加下未耗尽的一区域可保持处于该电阻性击穿区域中。 |
