发明名称 Halbleiterbauelement
摘要 Es wird ein Halbleiterbauelement geschaffen, bei dem eine Verringerung der Ausbeute durch elektrostatische Zerstörung verhindert werden kann. Eine Abtastzeilen-Treiberschaltung zum Liefern eines Signals für eine Auswahl einer Vielzahl von Pixeln an eine Abtastzeile enthält ein Schieberegister zum Erzeugen des Signals. Eine leitfähige Dünnschicht, die bei einer Vielzahl von Transistoren des Schieberegisters jeweils als Gate-Elektrode dient, ist in eine Vielzahl von leitfähigen Dünnschichten unterteilt. Die abgeteilten leitfähigen Dünnschichten sind durch eine leitfähige Dünnschicht elektrisch miteinander verbunden, die in einer Schicht ausgebildet ist, die von den abgeteilten leitfähigen Dünnschichten verschieden ist. Die Vielzahl von Transistoren schließt einen Transistor auf der Ausgangsseite des Schieberegisters ein.
申请公布号 DE102012218310(A1) 申请公布日期 2013.04.11
申请号 DE201210218310 申请日期 2012.10.08
申请人 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 发明人 SAKAKURA, MASAYUKI;GOTO, YUUGO;MIYAKE, HIROYUKI;KUROSAKI, DAISUKE
分类号 H01L27/12;G09G3/20;H01L27/085;H01L27/15;H01L27/32 主分类号 H01L27/12
代理机构 代理人
主权项
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