发明名称 Halbleiterstruktur und Verfahren zu ihrer Herstellung
摘要 Eine oder mehrere Ausführungsformen betreffen eine Halbleiterstruktur, die Folgendes aufweist: eine leitfähige Kontaktstelle (310), wobei die leitfähige Kontaktstelle (310) mehrere seitlich beabstandete Spalten (360) enthält, die mindestens teilweise durch die leitfähige Kontaktstelle (310) hindurch verlaufen.
申请公布号 DE102012109356(A1) 申请公布日期 2013.04.11
申请号 DE201210109356 申请日期 2012.10.02
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 MEINHOLD, DIRK
分类号 H01L23/482;H01L21/60;H01L21/768;H01L23/50 主分类号 H01L23/482
代理机构 代理人
主权项
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