发明名称 双层金属框架内置电感集成电路
摘要 本实用新型公开了一种双层金属框架内置电感集成电路,有芯片、电感器、合金磁芯、第一个金属框架、第二个金属框架和封装材料,芯片固定于第一个金属引线框架上,合金磁芯放置于电感器内部,电感器放置于第二个金属框架内部,第二个金属框架接地,芯片、电感器、合金磁芯及两个金属框架均设置在封装材料内部。将电感与芯片一起封装,既节约电路面积又节省安装步骤,同时还提高系统集成度,提升性能,降低整体成本。第二个接地的金属框架包裹电感器提供了磁屏蔽,有效地降低了电感器对芯片的磁干扰,提升了系统的整体性能。
申请公布号 CN202871778U 申请公布日期 2013.04.10
申请号 CN201220108076.2 申请日期 2012.03.21
申请人 苏州贝克微电子有限公司 发明人 李真
分类号 H01L23/495(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I 主分类号 H01L23/495(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种双层金属框架内置电感集成电路,其特征是:有芯片、电感器、合金磁芯、第一个金属框架、第二个金属框架和封装材料。芯片固定于第一个金属引线框架上,合金磁芯放置于电感器内部。电感器放置于第二个金属框架内部,第二个金属框架接地,芯片、电感器、合金磁芯及两个金属框架均设置在封装材料内部。
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