| 发明名称 | 高电子迁移率晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了高电子迁移率晶体管（HEMT），包括：基板；HEMT叠层，与基板间隔开；以及虚设绝缘层（PIL），设置在基板与HEMT叠层之间。PIL层包括具有不同相的至少两种材料。PIL层定义空的空间，该空的空间在中间部分比在该空的空间的入口处更宽。 | ||
| 申请公布号 | CN103035705A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201210367105.1 | 申请日期 | 2012.09.28 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金峻渊;李在垣;崔孝枝 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 屈玉华 |
| 主权项 | 一种高电子迁移率晶体管，包括：基板；高电子迁移率晶体管叠层，与所述基板间隔开；以及虚设绝缘层，在所述基板与所述高电子迁移率晶体管叠层之间，所述虚设绝缘层包括具有不同相的至少两种材料，并且所述虚设绝缘层定义空的空间，该空的空间在中间部分比在该空的空间的入口处更宽。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||