用于制造双芯片装置的方法以及相应的双芯片装置

摘要

本发明涉及一种用于制造双芯片装置的方法和一种相应的双芯片装置。所述方法包括以下步骤：提供具有第一厚度的晶片，其具有前侧和背侧并且具有第一数量的多个第一芯片，其可连接在前侧上；将第二数量的多个第二芯片施加在晶片的前侧上，使得每一个第一芯片分别与一个第二芯片连接并且形成一个相应的双芯片对；在晶片的前侧上形成连通的模制壳体，使得第二芯片被封装；从背侧起将晶片背面减薄到第二厚度，所述第二厚度小于第一厚度；从背侧起形成通到第二芯片的覆镀通孔；以及将双芯片对分割成相应的双芯片装置。

主权项

用于制造双芯片装置的方法，所述方法具有以下步骤：提供具有第一厚度（d1）的晶片（1），所述晶片具有前侧（VS）和背侧（RS）并且所述晶片具有第一数量的多个第一芯片（1a，1b，1c），将第二数量的多个第二芯片（2a，2b，2c）施加在所述晶片（1）的前侧（VS）上，使得每一个第一芯片（1a，1b，1c）分别与一个第二芯片（2a，2b，2c）连接并且形成一个相应的双芯片对；在所述晶片（1）的前侧（VS）上形成连通的、单侧的模制壳体（MG），使得所述第二芯片（2a，2b，2c）被封装；从所述背侧（RS）起将所述晶片（1）背面减薄到第二厚度（d2），所述第二厚度小于所述第一厚度（d1）；从所述背侧（RS）起形成通到所述第二芯片（2a，2b，2c）的覆镀通孔（D1‑D6）和电连接端子（U1‑U6）；以及将所述双芯片对分割成相应的双芯片装置（3a，3b，3c）。