| 发明名称 | 精确控制晶圆减薄厚度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种精确控制晶圆减薄厚度的方法，包括：在芯片制造过程中加入一步硅片沟槽刻蚀，在该沟槽内填入填充物，晶圆的正面芯片制作流程做完后，通过硅片背面减薄至沟槽的底部，实现晶圆减薄的精度控制。本发明较精确的控制晶圆减薄厚度，并且减少晶圆和晶圆之间厚度的差异，并且拒绝蓝膜的厚度变化对减薄精度的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN103035489A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201210468683.4 | 申请日期 | 2012.11.19 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 郁新举 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 高月红 |
| 主权项 | 一种精确控制晶圆减薄厚度的方法，其特征在于，包括：在芯片制造过程中加入一步硅片沟槽刻蚀，在该沟槽内填入填充物，晶圆的正面芯片制作流程做完后，通过硅片背面减薄至沟槽的底部，实现晶圆减薄的精度控制。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||