| 发明名称 | 具有嵌入式上电极的发光二极管元件及发光二极管结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有一嵌入式上电极的发光二极管元件及发光二极管结构。该发光二极管元件包括一发光二极管结构与一上电极。该发光二极管结构包括多层结构，设置于一包含一有源发光区的基板上。该发光二极管结构的一上层包括一上接合层。该上电极嵌入该上接合层，其中该上电极与该上接合层电性接合。本发明可提供一有效传递电流的电极同时提高光穿透。 | ||
| 申请公布号 | CN101572289B | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN200910135472.7 | 申请日期 | 2009.04.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 余振华;陈鼎元;邱文智 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L27/15(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种发光二极管元件，包括：一基板；一发光二极管结构，该发光二极管结构为多层结构，其包括一设置于该基板上的有源发光层与一上接合层；一开口，形成于该上接合层中；一上电极，嵌入该上接合层中的该开口，其中该上电极与该上接合层电性接合；以及一导电网络，形成于该上接合层中，其中该导电网络连接该上电极与该上接合层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||