| 摘要 |
1. Фотодиод для среднего инфракрасного диапазона спектра, включающий p- и n-области с токоподводящими непрозрачными контактами, разделенные p-n переходом, активную область, электрически связанную с p-n переходом, при этом один или несколько контактов на поверхности области, принимающей фотоны от изучаемого объекта, имеют общий периметр, значение которого выбирают из интервала:где Р, S- периметр и площадь активной части p-n перехода соответственно, Р- суммарный периметр всех областей контакта(ов), участвующих в сборе фототока, L- длина растекания тока,- периметр контакта с минимально возможной для используемых технологических процессов площадью.2. Фотодиод по п.1, отличающийся тем, что каждый из контактов на поверхности области, принимающей фотоны от изучаемого объекта, содержит элементы с подобной геометрической формой.3. Фотодиод по п.1, отличающийся тем, что, по крайней мере, часть контакта(ов) выполнена в виде спирали.4. Фотодиод по п.1, отличающийся тем, что, по крайней мере, часть контакта(ов) имеет ячеистую структуру.5. Фотодиод по п.1, отличающийся тем, что минимальное расстояние между краями соседних элементов контакта(ов) не превышает половины длины растекания тока L.6. Фотодиод по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что активная область выполнена из INAsSb или InGaAsSb, или INGaAsPSb.7. Фотодиод по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что область, принимающая излучение выполнена из твердого раствора InAsSbP(о<х<0.2, y=(2-2.2)·х).8. Фотодиод по п.7, отличающийся тем, что контакт(ы) к p-области выполнен(ы) из последовательности металлических слоев Cr-AuZn-Ni-Au, причем слой из Cr примыкает к поверхности p-области, a w=0.01-0.2. |
