发明名称 半导体器件及其操作方法
摘要 一种操作半导体器件的方法,包括:选择存储器单元阵列中所包括的多个存储器单元块中的一个;对与选中的存储器单元块的字线中的选中的字线耦接的偶数编号的存储器单元进行编程;对与选中的字线耦接的奇数编号的存储器单元进行编程;对与和选中的字线相邻的下一个字线耦接的奇数编号的存储器单元进行编程;以及,对与所述下一个字线耦接的偶数编号的存储器单元进行编程,其中,重复编程,直到完成对与选中的存储器单元块的所有字线耦接的选中的存储器单元的编程。
申请公布号 CN103035292A 申请公布日期 2013.04.10
申请号 CN201210375710.3 申请日期 2012.09.29
申请人 爱思开海力士有限公司 发明人 李晋行
分类号 G11C16/10(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I 主分类号 G11C16/10(2006.01)I
代理机构 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人 石卓琼;郭放
主权项 一种操作半导体器件的方法,包括以下步骤:选择存储器单元阵列中所包括的多个存储器单元块中的一个;对与选中的存储器单元块的字线中的选中的字线耦接的偶数编号的存储器单元进行编程;对耦接到所述选中的字线的奇数编号的存储器单元进行编程;对耦接到与所述选中的字线相邻的下一个字线的奇数编号的存储器单元进行编程;以及对耦接到所述下一个字线的偶数编号的存储器单元进行编程,其中,重复编程,直到完成对与所述选中的存储器单元块的所有字线耦接的选中的存储器单元的编程。
地址 韩国京畿道