发明名称 |
磁阻感测组件与磁阻传感器 |
摘要 |
本发明提供了一种磁阻感测组件与磁阻传感器。磁阻感测组件包含一长形的水平磁阻层、一导电部与一第一磁场感应层。水平磁阻层位于基板表面上方,沿着其长度延伸方向具有第一侧以及与该第一侧相对的第二侧。导电部位于该水平磁阻层的上方或下方与其电耦合,该长形的水平磁阻层与该导电部构成至少一电流路径。第一磁场感应层是不平行于该基板表面,在该水平磁阻层的该第一侧处与该水平磁阻层磁耦合。磁阻传感器包含一惠斯通电桥的配置,此惠斯通电桥具有四只电阻臂,每一只该电阻臂包含上述的磁阻感测组件。本发明的设置使得成本较低、装置的不良率下降以及封装的困难度降低。 |
申请公布号 |
CN103033772A |
申请公布日期 |
2013.04.10 |
申请号 |
CN201210362417.3 |
申请日期 |
2012.09.25 |
申请人 |
宇能电科技股份有限公司 |
发明人 |
傅乃中;陈光镜;刘富台 |
分类号 |
G01R33/09(2006.01)I |
主分类号 |
G01R33/09(2006.01)I |
代理机构 |
北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 |
代理人 |
史霞 |
主权项 |
一种磁阻感测组件,其特征在于,包含:一长形的水平磁阻层,位于一基板的表面上方,沿着其长度延伸方向具有第一侧以及与该第一侧相对的第二侧;一导电部,在该水平磁阻层的上方或下方与其电耦合,该长形的水平磁阻层与该导电部构成至少一电流路径;一第一磁场感应层,不平行于该基板表面,在该水平磁阻层的该第一侧处与该水平磁阻层磁耦合。 |
地址 |
中国台湾新竹县竹北市台元一街1号6楼之1 |