| 发明名称 | 在烧结银层上包括扩散焊接层的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在烧结银层上包括扩散焊接层的半导体器件。半导体器件包括衬底以及衬底上的第一烧结银层。所述半导体器件包括第一半导体芯片以及把第一半导体芯片耦合到第一烧结银层的第一扩散焊接层。 | ||
| 申请公布号 | CN103035601A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201210299693.X | 申请日期 | 2012.08.22 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | N.厄施勒;R.施佩克尔斯;K.特鲁诺夫 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 胡莉莉;卢江 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其包括：衬底；衬底上的第一烧结银层；第一半导体芯片；以及把第一半导体芯片耦合到第一烧结银层的第一扩散焊接层。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||