| 发明名称 | 半导体和太阳能晶片及其处理方法 | ||
| 摘要 | 一种制造绝缘体上硅结构的方法，该绝缘体上硅结构包括衬底晶片、有源晶片和位于衬底晶片和有源晶片之间的氧化物层。该方法包括以下步骤：热处理上述结构，梯形研磨晶片边缘以及研磨晶片表面。 | ||
| 申请公布号 | CN103038875A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201180037452.1 | 申请日期 | 2011.07.22 |
| 申请人 | MEMC电子材料有限公司 | 发明人 | G·D·张;R·旺达姆 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 杨晓光;于静 |
| 主权项 | 一种用于制造绝缘体上硅结构的方法，其中所述绝缘体上硅结构包括衬底晶片、有源晶片和位于所述衬底晶片和所述有源晶片之间的氧化物层，所述方法包括以下步骤：热处理所述结构；梯形研磨所述晶片的边缘；以及研磨所述晶片的表面。 | ||
| 地址 | 美国密苏里州 | ||