FinFET器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。示例性的半导体器件包括：衬底，该沉底包括设置在衬底上方的鳍结构。该鳍结构包括一个或多个鳍。半导体器件进一步包括设置在衬底上方的绝缘材料。半导体器件进一步包括设置在部分鳍结构以及部分绝缘材料上方的栅极结构。该栅极结构横贯鳍结构中的每个鳍。半导体器件进一步包括由具有连续的并且不间断的表面区域的材料所形成的源极部件和漏极部件。该源极部件和漏极部件包括位于平面中的表面，该表面与位于绝缘材料、鳍结构的一个或多个鳍中的每个鳍以及栅极结构的平行平面中的表面直接接触。本发明还提供了FinFET器件及其制造方法。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，包括设置在所述衬底上方的鳍结构，其中，所述鳍结构包括一个或多个鳍；绝缘材料，设置在所述衬底上方；栅极结构，设置在所述鳍结构的部分以及所述绝缘材料的部分上方，其中，所述栅极结构横贯所述鳍结构中的每个鳍；以及源极部件和漏极部件，由具有连续的并且不间断的表面区域的材料形成，其中，所述源极部件和所述漏极部件包括位于平面中的表面，所述表面与位于所述绝缘材料、所述鳍结构的一个或多个鳍中的每个鳍以及所述栅极结构的平行平面中的表面直接接触。