发明名称 |
一种判定PMOSFET器件硼穿通的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种判定PMOSFET器件硼穿通的方法,包括:采用相同的工艺流程和参数制造2个多晶硅栅电极掺杂过程中采用类型相反离子注入,其它结构完全相同PMOSFET,形成P型多晶硅栅极和N型多晶硅栅极PMOSFET;分别测量P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压;计算得到P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压差值;计算得到P型多晶硅栅电极和N型多晶硅栅电极的功函数差值;将阈值电压差值与功函数差值进行比较;阈值电压差值大于功函数差值,判定发生了硼穿通;阈值电压差值等于功函数差值,判定没有发生硼穿通。本发明的判定PMOSFET器件硼穿通的方法能准确的判定PMOSFET器件是否发生硼穿通。 |
申请公布号 |
CN103035548A |
申请公布日期 |
2013.04.10 |
申请号 |
CN201110303093.1 |
申请日期 |
2011.10.10 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
罗啸;石晶;钱文生;胡君 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种判定PMOSFET器件硼穿通的方法,其特征是,包括以下步骤:(1)采用相同的工艺流程和参数制造2个多晶硅栅电极掺杂过程中采用类型相反离子注入,其它结构完全相同PMOSFET,形成P型多晶硅栅极和N型多晶硅栅极PMOSFET;(2)分别测量P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压;(3)计算得到P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压差值;(4)计算得到P型多晶硅栅电极和N型多晶硅栅电极的功函数差值;(5)将阈值电压差值与功函数差值进行比较;阈值电压差值大于功函数差值,判定发生了硼穿通;阈值电压差值等于功函数差值,判定没有发生硼穿通。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |