| 发明名称 | 用于芯片级封装的电连接 | ||
| 摘要 | 本发明提供了用于提供后钝化开口和接触下金属化层的系统和方法。实施例包括穿过后钝化层的开口，该开口具有第一尺寸和第二尺寸，第一尺寸大于第二尺寸，其中，第一尺寸垂直于芯片的热膨胀系数失配方向进行对准。通过以这种方式成型和对准穿过后钝化层的开口，后钝化层有助于防护下面的层免受由材料的热膨胀系数的失配所生成的应力。本发明还提供了用于芯片级封装的电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN103035596A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201210020437.2 | 申请日期 | 2012.01.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 游明志;林文益;李福仁;林柏尧 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：后钝化层，位于衬底上方，所述衬底具有热膨胀系数失配的第一方向；以及；第一开口，穿过所述后钝化层，所述第一开口具有第一尺寸和第二尺寸，所述第二尺寸小于所述第一尺寸，其中，所述第一尺寸垂直于所述热膨胀系数失配的第一方向进行对准。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||