一种查找缺陷掩膜版的方法

摘要

本发明涉及半导体芯片制造领域，特别涉及一种查找缺陷掩膜版的方法。该方法包括：从需要曝光的掩膜版中，选取至少一层掩膜版；确定选取的掩膜版对应的shot，其中，选取的每层掩膜版对应不同的shot；针对每一个shot，将该shot对应的掩膜版上的指定区域曝光到该shot的整个区域上，以及将除该shot对应的掩膜版之外的其他各个掩膜版的整个区域叠加曝光到该shot的整个区域上；对每个shot进行良率测试得到每个shot的待验证良率值，并根据每个shot的待验证良率值，确定每个shot对应的掩膜版是否有缺陷。通过本发明实施例中提供的方法，提高了查找缺陷掩膜版的效率，缩短耗时，节省经济成本。

主权项

一种查找缺陷掩膜版的方法，其特征在于，包括：从需要曝光的掩膜版中，选取至少一层掩膜版；确定选取的所述掩膜版对应的曝光场shot，其中，选取的每层所述掩膜版对应不同的shot；针对每一个shot，将该shot对应的掩膜版上的指定区域曝光到该shot的整个区域上，以及将除该shot对应的掩膜版之外的其他各个掩膜版的整个区域叠加曝光到该shot的整个区域上；对每个所述shot进行良率测试得到每个所述shot的待验证良率值，并根据每个所述shot的待验证良率值，确定每个所述shot对应的所述掩膜版是否有缺陷，其中，所述待验证良率值是指所述shot中无缺陷的芯片die占所述shot中所有die的比例。