集成薄膜太阳能电池组件的制备方法

摘要

本发明公开了一种集成薄膜太阳能电池组件的制备方法，该方法的特征是：在电池结构膜层依次镀膜结束后，再进行激光刻线来实现电池集成的。其优点是：这样既可减少两道清洗工艺，又可避免水汽、粉尘引起对组件性能的降低。虽然本方法额外增加了两道工艺，即填注绝缘材料的涂覆第二背电极层，但是这两道工艺的技术要求相比电池的结构膜层来说要低的多。本发明方法适用于非晶硅、微晶硅及其叠层薄膜电池、碲化镉薄膜电池、铜铟(镓)硒和铜锌锡硫等薄膜电池。

主权项

一种集成薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于具体步骤如下：§A.对基底进行清洗，然后在基底(1)表面依次生长透明导电膜(2)、前电极缓冲层(3)、PN单结或多结复合薄膜(4)、背接触层(5)和第一背电极层(6)；§B.采用1064nm或355nm激光刻线方法对所有生长膜层进行激光刻线，即从第一背电极层(6)一直刻透至透明导电膜(2)，直至露裸基底(1)；刻线间距5‑20mm，刻线宽度30‑80μm，形成第一刻线槽(7)；§C.对第一刻线槽(7)填注EVA或TPT或硅胶绝缘材料，填埋掉第一刻线槽；§D.采用532nm或355nm激光对除了透明导电膜层和前电极缓冲层外进行激光刻线，即从第一背电极层一直刻透至PN单结或多结复合薄膜，直至露裸前电极缓冲层，刻线宽度30‑80μm，形成第二刻线槽(8)，第一刻线槽与第二刻线槽间隔100‑150μm；§E.对基板进行清洗，去除表面残留颗粒及灰尘，采用磁控溅射技术在第一背电极层(6)上沉积第二背电极层(9)，并填注第二刻线槽(8)；§F.采用532nm或355nm激光对除了透明导电膜层和前电极缓冲层外进行激光刻线，即从第一背电极层一直刻透至PN单结或多结复合薄膜，直至露裸前电极缓冲层，刻线宽度30‑80μm，形成第三刻线槽(10)，第二刻线槽与第三刻线槽间隔100‑150μm；§G.采用滚焊或超声焊技术在集成薄膜太阳能电池组件的靠近左右二边的第二背电极层上做正极引线(11)和负极引线(12)，至此电池制备工艺结束。