GaN-BASED LASER DIODES WITH MISFIT DISLOCATIONS DISPLACED FROM THE ACTIVE REGION,申请号EP20110724873-传众专利搜索

发明名称	GaN-BASED LASER DIODES WITH MISFIT DISLOCATIONS DISPLACED FROM THE ACTIVE REGION
摘要
申请公布号	EP2577823(A1)	申请公布日期	2013.04.10
申请号	EP20110724873	申请日期	2011.05.26
申请人	CORNING INCORPORATED	发明人	BHAT, RAJARAM;SIZOV, DMITRY
分类号	H01S5/343;H01S5/32	主分类号	H01S5/343
代理机构		代理人
主权项
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