| 摘要 |
1. Чистящая композиция для очистки микроэлектронных или наноэлектронных устройств, где чистящая композиция включает:HF в качестве единственной кислоты, отличающейся от фосфорной кислоты - ингибитора соединения в композиции;по меньшей мере один основной растворитель, выбранный из группы, состоящей из сульфонов и селенонов;по меньшей мере один полигидроксилалкильный или арильный спирт в качестве сорастворителя, имеющий центры, способные к комплексообразованию или связыванию с ионом металла;воду и,необязательно, по меньшей мере одно соединение фосфониевой кислоты, ингибирующего коррозию,причем указанная чистящая композиция не содержит амины, основания и другие соли и имеет рН≤5,5.2. Чистящая композиция по п.1, в которой основной растворитель выбирают из группы, состоящей из сульфолана, метилсульфона, этилсульфона, диметилсульфона, диэтилсульфона, дибутилсульфона, метилфенилсульфона, 2,2'-сульфонилдиэтанола, 4-(метилсульфонил)толуола, этилфенилсульфона, ди-п-толуилсульфона.3. Чистящая композиция по п.2, в которой по меньшей мере одним основным растворителем является сульфолан.4. Чистящая композиция по п.1, в которой по меньшей мере один сорастворитель, полигидроксильный алкильный или арильный спирт, выбирают из группы, состоящей из этиленгликоля, диэтиленгликоля, пропиленгликоля, бутиленгликоля, кахетола или пирогаллола.5. Чистящая композиция по п.4, в которой по меньшей мере одним сорастворителем полигидроксилалкильным или арильным спиртом является этилен-гликоль.6. Чистящая композиция по п.1, в которой, необязательно, присутствует по меньшей мере одно соединение фосфониевой кислоты, ингибирующего коррозию, вы |
