| 发明名称 | 一种基于单元漏电检测的温度控制自刷新方法 | ||
| 摘要 | 一种基于单元漏电检测的温度控制自刷新存储设备，包括多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)，选择器(300)，冗余单元(501)，检测电路(502)，脉冲产生器(503)和DRAM阵列，还包括多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)产生DRAM阵列的晶体管衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，选择器(300)在选择信号Sel的控制下从VBB1、VBB2、……VBBn中选择一个输出到DRAM阵列的晶体管衬底电压VBB上，同时也输出到冗余单元(501)的晶体管衬底电压上。本发明还提出一种基于单元漏电检测的温度控制自刷新方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103035281A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201110298531.X | 申请日期 | 2011.09.29 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 解玉凤;林殷茵;孟超;程宽 |
| 分类号 | G11C11/402(2006.01)I;G11C29/08(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/402(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人 | 吴桂琴 |
| 主权项 | 一种基于单元漏电检测的温度控制自刷新存储设备，包括多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)，选择器(300)，冗余单元(501)，检测电路(502)，脉冲产生器(503)和DRAM阵列，其特征在于：多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)产生DRAM阵列的晶体管衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，选择器(300)在选择信号Sel的控制下从VBB1、VBB2、……VBBn中选择一个输出到DRAM阵列的晶体管衬底电压VBB上，同时也输出到冗余单元(501)的晶体管衬底电压上。 | ||
| 地址 | 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 | ||