发明名称 屏蔽插入机构及具有集成的电磁屏蔽物的半导体封装
摘要 本实用新型涉及屏蔽插入机构及具有集成的电磁屏蔽物的半导体封装。在本实用新型中公开了位于顶部有源管芯与底部有源管芯之间用于屏蔽所述有源管芯避免电磁噪声的屏蔽插入机构的多种实施方式。一种实施方式包括插入机构介质层、所述插入机构介质层内的硅通孔(TSV)、以及电磁屏蔽物。TSV将电磁屏蔽物连接到第一固定电位上。所述电磁屏蔽物可以包括侧向延伸横过屏蔽插入机构的导电层格栅。所述屏蔽插入机构还可以包括连接到另一固定电位上的另一个电磁屏蔽物。本实用新型还公开了具有集成的电磁屏蔽物的半导体封装。
申请公布号 CN202871784U 申请公布日期 2013.04.10
申请号 CN201220504860.5 申请日期 2012.09.28
申请人 美国博通公司 发明人 桑帕施·K·V·卡里卡兰;胡坤忠;赵子群;雷佐尔·拉赫曼·卡恩;彼得·沃伦坎普;陈向东
分类号 H01L23/552(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I 主分类号 H01L23/552(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 田喜庆
主权项 一种位于顶部有源管芯与底部有源管芯之间用于屏蔽所述顶部有源管芯以及所述底部有源管芯避免电磁噪声的屏蔽插入机构,所述屏蔽插入机构包括:插入机构介质层;所述插入机构介质层内的硅通孔TSV;通过所述TSV连接到固定电位上的电磁屏蔽物。
地址 美国加利福尼亚州