| 发明名称 | 一种薄膜太阳能电池及p型半导体和p型半导体的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜太阳能电池及p型半导体和p型半导体的制备方法，薄膜太阳能电池结构为单结或者双结或者三结以上的多结结构，制成它的p型半导体由p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜构成，对于非晶硅电池，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为非晶碳化硅a-SiC:H薄膜，对于微晶硅电池，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为微晶硅µ-Si:H薄膜。本发明的p型半导体既能允许更多有用的光通过它进入本征吸收层i层，同时能与前电极或者前一结电池完美接触以最大限度的提升空穴的导出效率，从太阳光谱利用效率和载流子收集效率两方面进行提升以提高由该p型半导体制备的光伏电池的能量转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103035757A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201210512859.1 | 申请日期 | 2012.12.05 |
| 申请人 | 保定风帆光伏能源有限公司 | 发明人 | 高平奇;孔英;王宽冒;黄艳红;云骁健 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0376(2006.01)I;H01L31/075(2012.01)I;H01L31/076(2012.01)I;H01L31/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 保定市燕赵恒通知识产权代理事务所 13121 | 代理人 | 杨玉清 |
| 主权项 | 1.一种薄膜太阳能电池，其结构为单结结构：基板/前电极/p型半导体/i层本征吸收层/n层半导体薄膜/背电极；其特征在于：所述的p型半导体由p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜构成，其中p+层半导体薄膜、p-层半导体薄膜为具有不同光电特性的同一种材料制成，对于非晶硅电池，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为非晶碳化硅a-SiC:H薄膜，p+层半导体薄膜的暗电导为1×10<sup>-5</sup>～5×10<sup>-5</sup>S/cm，能带隙为1.8～1.9eV,厚度为40～80Å；p-层半导体薄膜的暗电导为1×10<sup>-7</sup>～5×10<sup>-7</sup>S/cm，能带隙为2~2.1eV，厚度为30～100Å；对于微晶硅电池，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为微晶硅μ-Si:H薄膜，p+层半导体薄膜的暗电导为1×10<sup>-3</sup>～1×10<sup>-2</sup>S/cm，能带隙为1.1～1.2eV,厚度为40～80Å；p-层半导体薄膜的暗电导为1×10<sup>-5</sup>～1×10<sup>-4</sup>S/cm，能带隙为1.3～1.5eV，厚度为30～100Å。 | ||
| 地址 | 071051 河北省保定市高新区鲁岗路199号 | ||