横向堆叠超级接面功率半导体装置

摘要

本发明公开了一种横向堆叠超级接面功率半导体装置，包括一半导体基底；一外延堆叠结构，设于半导体基底上，外延堆叠结构包括至少一第一外延层，具有一第二导电型，及至少一第二外延层，具有第一导电型；一漏极结构，嵌入于外延堆叠结构中，且漏极结构沿着一第一方向延伸；多个栅极结构，嵌入外延堆叠结构中，并且断续的沿着第一方向延伸；一源极结构，设于多个栅极结构间；及一离子井，具有第一导电型，包围住源极结构。

主权项

一种横向堆叠超级接面功率半导体装置，其特征在于包括：一半导体基底，具有一第一导电型；一外延堆叠结构，设于所述半导体基底上，所述外延堆叠结构包括至少一第一外延层，具有一第二导电型，及至少一第二外延层，具有所述第一导电型；一漏极结构，嵌入于所述外延堆叠结构中，且所述漏极结构沿着一第一方向延伸；多个栅极结构，嵌入所述外延堆叠结构中，并且断续的沿着所述第一方向延伸；一源极结构，设于所述多个栅极结构间；及一离子井，具有所述第一导电型，包围住所述源极结构。