| 发明名称 | 氧化铟锡膜及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明关于一种氧化铟锡膜及其制法。该氧化铟锡膜包括：氧化铟锡主体层；以及设置于主体层上的氧化铟锡覆盖层；其覆盖层中O/(In+Sn)的原子比值小于主体层中O/(In+Sn)的原子比值，且覆盖层的厚度介于50至200埃之间。本发明还提供了一种氧化铟锡膜的制作方法，包括下列步骤：(A)、在氧气与氩气环境下沉积一氧化铟锡主体层；以及，(B)、在氩气与氢气环境下，于所述氧化铟锡主体层上沉积一氧化铟锡覆盖层，以制得上述氧化铟锡膜。本发明提供的氧化铟锡膜中的覆盖层可提供电性稳定作用，避免退火工艺对薄膜电性的影响，以形成具备绝佳透光率及导电性的氧化铟锡膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103031517A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201110302041.2 | 申请日期 | 2011.10.09 |
| 申请人 | 光洋应用材料科技股份有限公司 | 发明人 | 杨能辉 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 韩蕾 |
| 主权项 | 一种氧化铟锡膜，包括：一氧化铟锡主体层；以及一氧化铟锡覆盖层，其是设置于所述氧化铟锡主体层上；其中，所述氧化铟锡覆盖层中氧原子对铟锡原子的原子比值O/(In+Sn)小于所述氧化铟锡主体层中O/(In+Sn)的原子比值。 | ||
| 地址 | 中国台湾台南市 | ||