发明名称 单路静电释放保护器件的加工方法
摘要 本发明实施例公开了单路ESD保护器件的加工方法。一种单路ESD保护器件的加工方法包括在第一基材上加工出2个通孔,第一基材包括第一导电层、第二导电层和位于第一导电层和第二导电层之间的第一绝缘层;在该2个通孔内填充导电物质;在第二导电层上进行图形加工;在第一导电层上进行图形加工和/或在第一导电层上加工出贯穿至第一绝缘层的盲槽,在第一导电层上设置第一树脂层;在第一树脂层上设置保护层;在保护层上加工出贯穿至第一绝缘层的N个盲孔;在N个盲孔内填充浆料;将保护层从第一树脂层上剥离;在第一树脂层上设置保护上体。本发明实施例方案有利于降低ESD保护器件的制作成本、提高ESD保护器件的安全性。
申请公布号 CN103035625A 申请公布日期 2013.04.10
申请号 CN201210585572.1 申请日期 2012.12.30
申请人 深圳中科系统集成技术有限公司 发明人 黄冕
分类号 H01L23/60(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/60(2006.01)I
代理机构 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 代理人 唐华明
主权项 一种单路静电释放ESD保护器件的加工方法,其特征在于,包括:在第一基材上加工出第一通孔和第二通孔,其中,所述第一基材包括第一导电层、第二导电层和位于所述第一导电层和所述第二导电层之间的第一绝缘层;通过电镀和/或化学镀在所述第一通孔和第二通孔内填充导电物质;在所述第二导电层上进行图形加工,以将所述第二导电层分割为互不导通的第三导电区域和第四导电区域;在所述第一导电层上进行图形加工和/或在所述第一导电层上加工出贯穿至所述第一绝缘层的盲槽,以将所述第一导电层分割为互不导通的第一导电区域和第二导电区域,其中,所述第一导电区域通过所述第一通孔内的导电物质与所述第三导电区域导通,所述第二导电区域通过所述第二通孔内的导电物质与所述第四导电区域导通;在所述第一导电层上设置第一树脂层;在所述第一树脂层上设置保护层;在所述保护层上加工出贯穿至所述第一绝缘层的N个盲孔;在所述N个盲孔内填充浆料,其中,所述第一导电层的第一导电区域通过所述N个盲孔内的浆料与所述第二导电区域相接,其中,所述浆料含有导电粒子和非导电粒子,所述N为正整数;将所述保护层从所述第一树脂层上剥离;在所述第一树脂层上设置保护上体。
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