| 发明名称 | 一个晶体管的智能写入 | ||
| 摘要 | 公开了一个晶体管的智能写入。逐列(逐个单元)地选择性地增加字线上特定非易失性存储单元的阈值电压。在某些单元上执行选择性编程，同时在其他单元上执行编程禁止，这使得全部单元具有在最小可接受值和最大可接受值之间的阈值电压。 | ||
| 申请公布号 | CN103035295A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201110462564.3 | 申请日期 | 2011.12.31 |
| 申请人 | 赛普拉斯半导体公司 | 发明人 | 范卡特拉曼·普拉哈卡;斐德列克·杰能 |
| 分类号 | G11C16/34(2006.01)I;G11C16/16(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人 | 周靖;郑霞 |
| 主权项 | 一种方法，包括：通过在单元的第一子集上执行选择性软编程，同时在所述单元的第二子集上执行编程禁止，逐个单元地选择性地增加同一字线上多个非易失性存储单元中的特定存储单元的阈值电压；以及重复所述选择性软编程，直到全部所述单元具有落在最小可接受值和最大可接受值之间的阈值电压。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||