| 发明名称 | 用于制造抛光的半导体晶片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制造抛光的半导体晶片的方法，所述方法包括以下顺序的多个步骤：-由半导体材料构成的棒切割出半导体晶片，-对半导体晶片的至少一侧进行材料去除处理，以及-抛光半导体晶片的所述至少一侧，其中，在所述材料去除处理之后、对待抛光的所述至少一侧进行抛光之前，半导体晶片沿着其边部具有环形局部隆起部，所述局部隆起部具有至少0.1μm的最大高度，且局部隆起部在半导体晶片的边部处的10mm宽的环内达到其最大高度。 | ||
| 申请公布号 | CN101996863B | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201010226207.2 | 申请日期 | 2010.07.08 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | B·莫克尔;H·弗兰克 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 蔡洪贵 |
| 主权项 | 一种用于制造抛光的半导体晶片的方法，所述方法包括以下顺序的多个步骤：‑由半导体材料构成的棒切割出半导体晶片，‑对半导体晶片的至少一侧进行材料去除处理，以及‑抛光半导体晶片的所述至少一侧，其中，在所述材料去除处理之后、对待抛光的所述至少一侧进行抛光之前，半导体晶片沿着其边部具有环形局部隆起部，所述局部隆起部具有至少0.1μm的最大高度，且局部隆起部在半导体晶片的边部处的10mm宽的环内达到其最大高度。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||