| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种半导体器件，包括第一导通型的第一半导体层（n+sub），在所述第一半导体层上面形成的第一导通型的第二半导体层，其中在所述第二半导体层中形成交错的第二导通型柱和第一导通型柱，并且包括第二导通型本体区，其特征在于，给第二导通型本体区提供局部化区域，所述局部化区域在雪崩情况下承载电流，而在导通情况下负载电流的主要部分不流经该区域。 | ||
| 申请公布号 | CN202871798U | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201220401071.9 | 申请日期 | 2012.08.14 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | A.毛德;A.维尔梅罗特;F.希尔勒 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 臧永杰;卢江 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括第一导通型的第一半导体层（n+sub），在所述第一半导体层上面形成的第一导通型的第二半导体层，其中在所述第二半导体层中形成交错的第二导通型柱和第一导通型柱并且包括第二导通型本体区，其特征在于，给第二导通型本体区提供局部化区域，所述局部化区域在雪崩情况下承载电流，而在导通情况下负载电流的主要部分不流经所述局部化区域。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||