发明名称 |
MnO<sub>2</sub>/石墨纳米片复合材料及其制备和应用 |
摘要 |
本发明公开了一种MnO2/石墨纳米片复合材料的制备,属于复合材料技术领域。该方法是先将经清洗处理的石墨棒进行电化学剥离处理,得到石墨纳米片基底;再利用高压静电吸附的方式将高锰酸根吸附在石墨纳米片表面,然后采用还原剂还原高锰酸根,在石墨纳米片基底上沉积MnO2,得到MnO2/石墨纳米片复合材料。本发明制备的复合材料兼具石墨纳米片产生双电层电容与MnO2产生赝电容储能特点,同时石墨纳米片彼此之间平行排列,改善了离子迁移途径,故而显现出超高的电化学电容行为,可直接作为超级电容器电极,具有较高的能量密度和高的功率密度,不需要添加导电物质和粘合剂等添加剂,显著地提高了电容器的比容量。 |
申请公布号 |
CN102496416B |
申请公布日期 |
2013.04.10 |
申请号 |
CN201110380591.6 |
申请日期 |
2011.11.25 |
申请人 |
西北师范大学 |
发明人 |
胡中爱;张亚军;张海英;张富海;梁鹏举;杨玉英;张子瑜;吴红英 |
分类号 |
H01B13/00(2006.01)I;H01B1/04(2006.01)I;H01G9/042(2006.01)I |
主分类号 |
H01B13/00(2006.01)I |
代理机构 |
甘肃省知识产权事务中心 62100 |
代理人 |
张英荷 |
主权项 |
一种MnO2/石墨纳米片复合材料的制备方法,是先将经清洗处理的石墨棒进行电化学剥离处理,得到石墨纳米片基底表面;再利用高压静电吸附的方式将高锰酸根吸附在石墨纳米片表面,然后采用还原剂还原高锰酸根,使MnO2沉积在石墨纳米片基底上,得到MnO2/石墨纳米片复合材料。 |
地址 |
730070 甘肃省兰州市安宁区安宁东路967号 |