一种具有终端保护结构的IGBT芯片及其制造方法

摘要

本发明涉及电力电子领域的功率器件及其制造方法，具体涉及一种具有终端保护结构的IGBT芯片及其制造方法，终端保护结构包括P型连续场限环结构和多级场板结构；将所述P型连续场限环结构与多级场板结构通过接触孔电极互连结构和金属电极互连结构进行等电位连接。制造方法包括下述步骤：（一）制作IGBT芯片P型连续场限环结构；（二）制作IGBT芯片场氧化膜结构；（三）制作IGBT芯片栅极结构和多级场板部分结构；（四）制作IGBT芯片有源区结构和P型连续场限环的延伸结构；（五）制作IGBT芯片电极互连结构；（六）制作IGBT芯片钝化保护结构；（七）制作IGBT芯片背面结构。本发明在能够保证600V至6500V的IGBT器件耐压性能的同时，还缩小终端保护区域的面积，降低成本。

主权项

一种具有终端保护结构的IGBT芯片，所述IGBT芯片包括终端保护结构，其特征在于，所述终端保护结构包括P型连续场限环结构和多级场板结构；将所述P型连续场限环结构与多级场板结构通过接触孔电极互连结构和金属电极互连结构进行等电位连接；所述P型连续场限环用于降低IGBT芯片电场，所述多级场板结构中的氧化层用于IGBT芯片的耐压。