| 发明名称 | 一种生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种生长在Si衬底上的LED外延片，其特征在于：包括Si衬底层、生长在Si衬底层上的Al2O3保护层，在Al2O3保护层上依次生长出u-GaN缓冲层、n-GaN层、InGaN/GaN量子阱层及p-GaN层。本发明还公开了上述LED外延片的制备方法。与现有技术相比，本发明的生长在Si衬底上的LED外延片具有优异的电学、光学性质，晶体质量高，缺陷密度低的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103035794A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201210534913.2 | 申请日期 | 2012.12.11 |
| 申请人 | 广州市众拓光电科技有限公司 | 发明人 | 李国强 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I |
| 代理机构 | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人 | 汤喜友 |
| 主权项 | 一种生长在Si衬底上的LED外延片，其特征在于：包括Si衬底层、生长在Si衬底层上的Al2O3保护层，在Al2O3保护层上依次生长出u‑GaN缓冲层、n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱层及p‑GaN层。 | ||
| 地址 | 510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房 | ||