用于提供在低温衬底上的薄膜的横向热处理方法

摘要

公开了一种用于以选择性方式热处理最小化吸收薄膜的方法。构图热接触薄膜的两个紧邻的吸收痕。使用脉冲辐射源加热两个吸收痕，并且通过在两个吸收痕之间的传导热处理薄膜。此方法可用于制造薄膜晶体管（TFT），在其中薄膜是半导体并且吸收器是TFT的源极和漏极。

主权项

一种用于热处理极薄膜的方法，所述方法包括：在极薄膜的顶上构图两个吸收痕，其中所述薄膜位于衬底的顶上；用至少一个电磁脉冲辐射所述两个吸收痕以加热所述两个吸收痕；以及允许来自所述两个吸收痕的热来热处理所述极薄膜。