半导体器件和半导体器件制造方法

摘要

本发明的实施例提供一种半导体器件和半导体器件制造方法，可减小连接电极到配线构件的电阻变化且改善配线可靠性。形成电极通过其延伸的孔，并且在包括配线的配线层上执行过蚀刻工艺。然后，通过在该孔中嵌入铜，可形成由铜制作的电极。在电极通过作为连接区域的构件已经连接到配线后，该连接区域在热处理中被合金化，以便电连接该电极到该配线。因此，能够减小电极和该配线之间的电阻变化，并且还改善配线的可靠性。本发明可应用于半导体器件和制造该半导体器件的方法。

主权项

一种半导体器件，其中：接触区域被合金化以将电极连接到配线；并且所述电极和所述配线共享合金化的所述接触区域，以在包括逻辑电路和配线的第二半导体晶片以及包括光电转换部分和配线的第一半导体晶片中将所述电极和所述配线彼此电连接。