| 发明名称 | 阻变存储器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种阻变存储器件及其制备方法。该阻变存储器件包括设置在衬底上的底电极、设置在所述底电极上的第一阻变层、设置在所述第一阻变层上的控制层及设置在所述控制层上的顶电极，所述控制层包括位于所述第一阻变层表面上的第一电极、第二电极及填充在所述第一电极和所述第二电极之间的第二阻变层，所述顶电极设置在所述第二阻变层上。本发明实施例所提供的阻变存储器件及其制备方法，可以实现阻变存储器件的多值存储，从而可以大幅度增加由阻变存储器件构成的存储器的存储密度。 | ||
| 申请公布号 | CN103035838A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201210555309.8 | 申请日期 | 2012.12.19 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 蔡一茂;毛俊;黄如;王宗巍;刘业帆;余牧溪 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;许伟群 |
| 主权项 | 一种阻变存储器件，其特征在于，包括设置在衬底上的底电极、设置在所述底电极上的第一阻变层、设置在所述第一阻变层上的控制层及设置在所述控制层上的顶电极，所述控制层包括位于所述第一阻变层表面上的第一电极、第二电极及填充在所述第一电极和所述第二电极之间的第二阻变层，所述顶电极设置在所述第二阻变层上。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||