发明名称 |
纳米氧化铜的形貌可控制备方法 |
摘要 |
本发明公开了纳米氧化铜的形貌可控制备方法,涉及半导体材料纳米氧化铜。一种纳米氧化铜的形貌可控制备方法,包括以下步骤:以二水合二氯化铜为铜源、去离子水为溶剂,配制得到Cu2+浓度为0.02~0.2mol/L的溶液,加入表面活性剂,常温下搅拌30min;配制5mol/L的氢氧化钠溶液,逐滴滴加入,充分搅拌;将溶液转移至反应釜中,密封,置于100~200℃的烘箱中反应2~30h;反应结束后离心收集产物,将产物用去离子水和无水乙醇分别清洗多次,然后在空气中45℃干燥,即得。本发明通过控制反应条件,一步就可以选择性地合成出具有不同形貌的氧化铜纳米材料,制备过程无污染,成本低,易于大规模生产,产物结构形貌丰富、选择性高、重复性好。 |
申请公布号 |
CN103030169A |
申请公布日期 |
2013.04.10 |
申请号 |
CN201210573295.2 |
申请日期 |
2012.12.26 |
申请人 |
中北大学 |
发明人 |
赵贵哲;陈慧玉;刘亚青;王晓峰 |
分类号 |
C01G3/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01G3/02(2006.01)I |
代理机构 |
太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 |
代理人 |
朱源 |
主权项 |
一种纳米氧化铜的形貌可控制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)以二水合二氯化铜为铜源、去离子水为溶剂,配制得到Cu2+浓度为0.02~0.2 mol/L的溶液,加入表面活性剂,常温下搅拌30 min;(2)配制5 mol/L的氢氧化钠溶液,逐滴滴加入步骤(1)所配制的溶液中,充分搅拌;(3)将步骤(2)所得到的溶液转移至反应釜中,密封,置于100~200℃的烘箱中反应2~30 h;(4)反应结束后离心收集产物,将产物用去离子水和无水乙醇分别清洗多次,然后在空气中45℃干燥,即得。 |
地址 |
030051 山西省太原市学院路3号 |