| 发明名称 | 改变半导体层结构的方法 | ||
| 摘要 | 一种改变半导体层的结构的方法，尤其是用于非晶形硅层(2)的结晶或再结晶的方法，在该方法中在将半导体层设置到基片(1)上之后，用半导体激光器(14)的激光暂时照射半导体层，该激光在半导体层的范围内具有线形的强度分布(3)，其中线形的强度分布(3)在垂直于穿过半导体层的线的延伸的方向(x)上在半导体层上移动，并且其中强度分布(3)在垂直于线的延伸的方向(x)上具有带有至少一个强度峰值(7)的强度分布图(5，11，12)和至少一个扩展范围(6，8)，该扩展范围比强度峰值(7)在垂直于线的延伸的方向(x)上更加扩展，其中其强度(I6，I8)小于强度峰值(7)的强度(I7)并大于零。 | ||
| 申请公布号 | CN101680107B | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN200880013183.3 | 申请日期 | 2008.04.24 |
| 申请人 | LIMO专利管理有限及两合公司 | 发明人 | P·布鲁恩斯;维塔利·利索特申克;德克·豪斯奇尔德 |
| 分类号 | C30B1/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B13/24(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 赵冰 |
| 主权项 | 用于改变半导体层的结构的方法，包括下列方法步骤：‑将半导体层设置到基片(1)上，‑用半导体激光器(14)的激光暂时照射半导体层，该激光在半导体层的范围内具有线形的强度分布(3)，其中，线形的强度分布(3)在垂直于线的延伸的方向(x)上在半导体层上移动，其中强度分布(3)在垂直于线的延伸方向(x)具有带有至少一个强度峰值(7)的强度分布图(5，11，12)，其特征在于，强度分布图(5，11，12)在垂直于线的延伸的方向(x)上还具有至少一个扩展范围(6，8)，该扩展范围比强度峰值(7)在垂直于线的延伸的方向(x)上更加扩展，其中该扩展范围的强度(I6，I8)小于强度峰值(7)的强度(I7)并大于零。 | ||
| 地址 | 德国多特蒙德 | ||