| 发明名称 | 硅片的临时键合方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅片的临时键合方法，包括步骤如下：1）在载片上制作一环形开槽；2）在硅片的键合面涂布粘合剂，并对其烘烤；3）将硅片和带有环形开槽的载片进行临时键合；4）将硅片背面研磨减薄；5）进行硅片背面工艺；6）将减薄后的硅片从带有环形开槽的载片上解离。本发明能防止在载片边缘的侧面残留粘合剂，从而在硅片和载片的解离过程中，可以解决传统工艺中因这种粘合剂残留而引起的硅片破裂问题，提高成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN103035482A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201210290712.2 | 申请日期 | 2012.08.15 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 郭晓波 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/673(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
| 主权项 | 一种硅片的临时键合方法，其特征在于，包括步骤如下：(1)在载片上制作一环形开槽；(2)在硅片的键合面涂布粘合剂，并对其进行烘烤；(3)将硅片和带有环形开槽的载片进行临时键合；(4)将硅片背面研磨减薄；(5)进行硅片背面工艺；(6)将减薄后的硅片从带有环形开槽的载片上解离。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||